范垂祯
【姓名】 范垂祯
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 溅射修正,砷化镓,表面成分,低能离子,离子溅射,X射线光电子谱,失效机理,俄歇电子谱,AES深度剖析,修正因子,空气桥,场效应晶体管,目标因子分析法,功率场效应管,扫描俄歇谱仪,多余物,化学态,红外设...
【工作单位】 兰州空间技术物理研究所
【曾工作单位】 中国空间技术研究院兰州物理研究所;
【所在地域】 兰州
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[1]杨得全,范垂祯.Hg_(1-x)Cd_xTe材料AES定量分析中的电子束和离子束效应[J]真空科学与技术.1999,(01)
[2]杨得全,袁泽亮,叶青山,范垂祯.砷化镓功率场效应管早期烧毁的失效分析[J]中国空间科学技术.1994,(01)
[3]杨得全,范垂祯.表面成分AES和XPS定量分析中的离子溅射修正[J]真空科学与技术.1994,(01)
[4]谢舒平,郭云,杨得全,范垂祯.Ti/Al多层金属薄膜AES深度剖析的目标因子分析[J]真空与低温.1995,(04)
[5]杨得全,陈隆智,范垂祯.碲镉汞红外材料与器件的空间应用[J]中国空间科学技术.1996,(01)
[6]谢舒平,蒋能,杨得全,范垂祯.PHI595扫描俄歇谱仪的计算机数据处理系统改造[J]现代科学仪器.1996,(02)
[7]杨得全,范垂祯.平面电极薄膜气体传感器中的表面与界面[J]传感器技术.1997,(03)
[8]杨得全,范垂祯.平面电极LB膜气体传感器的响应特性[J]传感器技术.1997,(04)
[9]谢舒平,杨得全,范垂祯.渐进因子分析法及其在Au/Ni/Si薄膜俄歇深度剖面研究中的应用[J]真空科学与技术.1997,(01)
[10]杨得全,范垂祯.半导体材料二次离子质谱定量分析中的基体效应[J]真空科学与技术.1997,(04)
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