高集金
【姓名】 高集金
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;核科学技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 中子嬗变掺杂,中子辐照,吸收峰,GaAs,硅单晶,红外,晶格损伤,辐照后,双空位,火行为,掺杂量,均匀性,中国科学院,原子能研究所,辐照,掺杂浓度,退火温度,退火时间,冶金研究,区熔,杂质散射,中子,...
【工作单位】 中国科学院原子能研究所
【曾工作单位】 中国科学院原子能研究所;
【所在地域】
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[1]李兆桓;高集金;王永清;.游泳池反应堆内中能中子与快中子通量测定[J]核科学与工程.1982,(01)
[2]莫培根,李寿春,李跃鑫,高集金,李石岭.GaAs中子嬗变掺杂的初步研究[J]半导体学报.1984,(05)
[3]李兆桓;王永清;高集金;.热中子堆内中子通量谱的多箔法测定[J]核科学与工程.1984,(01)
[4]祁明维,施天生,白国仁,谢雷鸣,蔡培新,高集金,李石岭.中子辐照硅单晶中一组新的红外吸收峰[J]半导体学报.1986,(03)
[5]祁明维,施天生,蔡培新,白国仁,谢雷呜,高集金,李石岭.中子辐照含氢硅单晶低温Si—H吸收峰的研究[J]红外研究(A辑).1987,(05)
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