汤玉生
【姓名】 汤玉生
【职称】 副教授;
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;仪器仪表工业;
【研究方向】 VLSI可靠性、超导磁通流晶体管的研究等工作
【发表文献关键词】 自致蚀停,动态应力,蚀液,空穴栅电流,硅微结构,多孔方板,退化,模型,热载流子,PN结,金属-氧化物-半导体器件,电子栅电流,栅电流,分布模型,电化学腐蚀,模拟乘法器,神经金属-氧化物-半导体晶体管,...
【工作单位】 上海交通大学
【曾工作单位】 上海交通大学;
【所在地域】 上海
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[1]曹亚明,汤玉生.一种新型的开关共点耦合神经MOS晶体管[J]固体电子学研究与进展.2003,(01)
[2]曹亚明,汤玉生.钟控神经MOS晶体管的建模及其电路仿真[J]固体电子学研究与进展.2003,(01)
[3]施周渊,赵守臣,汤玉生.在深亚微米MOS技术中HC退化与ESD的相互作用[J]压电与声光.2004,(05)
[4]管慧,汤玉生.神经MOS晶体管[J]半导体技术.2000,(01)
[5]管慧,汤玉生.采用神经MOS晶体管的低压四象限模拟乘法器的设计[J]固体电子学研究与进展.2000,(02)
[6]管慧,汤玉生.一种低压BiCMOS四象限模拟乘法器的设计[J]固体电子学研究与进展.2000,(03)
[7]王明宇,汤玉生,管慧.电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器[J]固体电子学研究与进展.2002,(02)
[8]汤玉生,郝跃.MOSFET栅电流分布的理论建模[J]电子学报.1999,(10)
[9]范灏成,汤玉生.硅微加速度计多孔方板阻尼特性的数值分析[J]传感技术学报.1999,(04)
[10]汤玉生，余兴，蒋建飞.超导逻辑门RCJL的传输特性[J]电子学报.1995,(02)
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