陈启谨
【姓名】 陈启谨
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 单晶硅衬底,过渡层,表面结构,金刚石膜,生长速率,初期生长,金刚石,沉积时间,表面物理,金刚石形核,氧化层,HREM,中科院,国家重点实验室,生长时间,SiO2层,HFCVD,键能,剥离速度,热丝法,
【工作单位】 中国科学院物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院物理研究所;
【所在地域】 北京
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[1]陈岩,陈启谨,崔玉德,孙碧武,林彰达.SiO_2层对金刚石膜初期生长影响的研究[J]真空科学与技术.1994,(06)
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