陈宏
【姓名】 陈宏
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 AlGaN/GaN,HEMT,AlGaN,SiO2,MOS-HFET,栅绝缘层,击穿电压,HEMTs,等离子增强,微波功率,输出电流,栅偏压,截止频率,化合物半导体,中国科学院,栅漏,测试结果,外延结...
【工作单位】 中国科学院物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院物理研究所;
【所在地域】 北京
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[1]郭维廉;张世林;梁惠来;齐海涛;毛陆虹;牛萍娟;于欣;王伟;王文新;陈宏;周均铭;.双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量[J]半导体学报.2008,(01)
[2]陈晓娟,刘新宇,和致经,刘键,邵刚,魏珂,吴德馨,王晓亮,周钧铭,陈宏.采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaNMOS-HFET器件[J]电子器件.2005,(03)
[3]邵刚,刘新宇,和致经,刘键,魏珂,陈晓娟,吴德馨,王晓亮,陈宏.高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制[J]半导体学报.2005,(01)
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