钟兴华
【姓名】 钟兴华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 部分耗尽,栅介质,体接触,击穿特性,充电损伤,nMOS,金属栅,硅化物,叠层,氮氧化硅,等离子,MOS器件,反应离子刻蚀,电学特性,氮化硅,亚阈值特性,穿通,部分耗尽SOI,半背沟道,翘曲效应,等离子...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]钟兴华;周华杰;林钢;徐秋霞;.高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W/Ti N金属栅电极CMOS器件(英文)[J]半导体学报.2006,(03)
[2]钟兴华;徐秋霞;.超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究(英文)[J]电子器件.2007,(02)
[3]吴峻峰,钟兴华,李多力,毕津顺,海潮和.采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压(英文)[J]半导体学报.2005,(10)
[4]杨建军,钟兴华,李俊峰,海潮和,韩郑生.氧等离子气氛中NMOS器件的性能退化[J]微电子学与计算机.2005,(08)
[5]邵红旭,孙宝刚,吴峻峰,钟兴华.0.1μm SOI槽栅pMOS器件特性(英文)[J]半导体学报.2005,(11)
[6]吴峻峰;钟兴华;李多力;韩郑生;海潮和;.体串联电阻对体接触SOI数字D触发器速度特性的影响(英文)[J]电子器件.2005,(04)
[7]杨建军,钟兴华,李俊峰,海潮和.反应离子刻蚀铝中nMOS器件的等离子充电损伤(英文)[J]电子工业专用设备.2005,(04)
[8]钟兴华,吴峻峰,杨建军,徐秋霞.超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性(英文)[J]半导体学报.2005,(04)
[9]吴峻峰,钟兴华,李多力,康晓辉,邵红旭,杨建军,海潮和,韩郑生.部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性(英文)[J]半导体学报.2005,(04)
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