赵新为
【姓名】 赵新为
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 抗蚀剂,凹槽图形,GaAs衬底,分辨率,电子束直写,工艺研究,Si衬底,孔尺寸,灵敏度,对比度,预烘,细线条,线条,或电路,实验结果,详细研究,纳米加工,MIBK,电子束曝光,黏附性,
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
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中国期刊全文数据库    共找到2篇
[1]彭英才;赵新为;.气-液-固法在半导体纳米线生长中的应用[J]功能材料与器件学报.2008,(05)
[2]龙世兵,李志刚,陈宝钦,赵新为,刘明.ZEP520正性电子抗蚀剂的工艺研究[J]微细加工技术.2005,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]龙世兵;李志刚;王丛舜;谢长青;张立辉;易里成荣;陈宝钦;赵新为;刘明;.一种SOI基平面侧栅单电子晶体管的制作方法[A].科技、工程与经济社会协调发展——中国科协第五届青年学术年会论文集.2004-06-30
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]赵新为;凌志华;.反射式硅上液晶微显示材料及器件的研究[A].中国科学院微电子研究所;中国科学院长春光学精密机械及物理研究所;.项目经费 0.2003-03-28.资助文献数 9 篇
[2]赵新为;.铒硅纳米线的制备技术和光电特性研究[A].中国科学院微电子研究所;.项目经费 24万元.2004-09-30.资助文献数 2 篇
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