杨荣
【姓名】 杨荣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;
【研究方向】 SOI射频集成电路的研究
【发表文献关键词】 pMOSFET,SOI,击穿,模拟,分析,应变硅锗,全耗尽,射频,SIMOX,nMOSFET,射频集成电路,部分耗尽,击穿电压,CMOS,薄膜全耗尽SOI,绝缘体上硅,自谐振频率,LDMOS,硅栅,品...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]杨荣;李俊峰;徐秋霞;海潮和;韩郑生;钱鹤;.截止频率53GHz的高性能0 .18μm射频nMOSFET(英文)[J]半导体学报.2006,(08)
[2]杨荣;李俊峰;钱鹤;.改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀[J]固体电子学研究与进展.2006,(03)
[3]连军,海潮和,韩郑生,赵洪辰,杨荣.N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究[J]电子器件.2004,(01)
[4]李俊峰,杨荣,赵玉印,柴淑敏,刘明,徐秋霞,钱鹤.部分耗尽0.25μmSOI射频nMOSFET(英文)[J]半导体学报.2004,(09)
[5]杨荣,李俊峰,钱鹤,韩郑生.一种新的SOI射频集成电路结构与工艺[J]微电子学.2004,(05)
[6]杨荣,李俊峰,钱鹤,韩郑生.SOI射频集成器件研制(英文)[J]功能材料与器件学报.2005,(02)
[7]杨荣,李俊峰,赵玉印,柴淑敏,韩郑生,钱鹤.一种用以改善硅衬底螺旋电感性能的局域介质增厚新技术(英文)[J]半导体学报.2005,(05)
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