学者知网节

吴德馨

【姓名】	吴德馨
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;物理学;电信技术;
【研究方向】	体硅、SOI和GaAs工艺及电路研究
【发表文献关键词】	AlGaN/GaN HEMT,微波输出功率,Si3N4,功率器件,钝化层,等离子增强,功率密度,AlGaN,SiO2,MOS-HFET,击穿电压,栅绝缘层,中国科学院,InGaP/GaAs,异质结双极...
【工作单位】	中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】	中国科学院微电子研究所;
【所在地域】	北京

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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中国期刊全文数据库 共找到34篇

[2]潘冠中;荀孟;赵壮壮;孙昀;蒋文静;周静涛;吴德馨;.高功率密度多结级联905 nm垂直腔面发射激光器[J]物理学报.2022,(20)

[3]赵壮壮;荀孟;潘冠中;孙昀;周静涛;王大海;吴德馨;.高功率转换效率905 nm垂直腔面发射激光器的设计与制备[J]物理学报.2021,(11)

[4]荀孟;孙昀;徐晨;解意洋;金智;周静涛;刘新宇;吴德馨;.Beam Steering Analysis in Optically Phased Vertical Cavity Surface Emitting Laser Array[J]Chinese Physics Letters.2018,(03)

[5]葛霁;金智;苏永波;程伟;刘新宇;吴德馨;.一种InP双异质结双极晶体管小信号物理模型及其提取方法[J]物理学报.2009,(12)

[6]樊宇伟;申华军;葛霁;刘新宇;和致经;吴德馨;.4GHz 300mWInGaP/GaAs HBT功率管研制[J]电子器件.2006,(01)

[7]郑英奎;刘果果;和致经;刘新宇;吴德馨;.f_T为77GHz的蓝宝石衬底0.25μm栅长AlGaN/GaN高电子迁移率功率器件(英文)[J]半导体学报.2006,(06)

[8]申华军;陈延湖;严北平;葛霁;王显泰;刘新宇;吴德馨;.C波段3.5W/mm,PAE>40%的InGaP/GaAs HBT功率管[J]半导体学报.2006,(09)

[9]申华军;陈延湖;严北平;杨威;葛霁;王显泰;刘新宇;吴德馨;.GaAs MMIC用无源元件的模型[J]半导体学报.2006,(10)

[10]刘丹;陈晓娟;刘果果;和致经;刘新宇;吴德馨;.一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型[J]半导体学报.2006,(11)

中国重要会议全文数据库 共找到2篇

[1]申华军;陈延湖;葛霁;王显泰;刘新宇;吴德馨;.5.4GHz 1W InGaP/GaAs HBT功率管[A].2005'全国微波毫米波会议论文集（第三册）.2006-02-27

[2]葛霁;刘新宇;申华军;陈延胡;吴德馨;.GaAs HBT VBIC模型参数的提取[A].2005'全国微波毫米波会议论文集（第三册）.2006-02-27

承担国家科研项目 共找到1个

[1]刘洪刚;吴德馨;李卫;杨浩;王文新.超高频化合物基CMOS器件和电路研究[A].中国科学院物理研究所;中国科学院微电子研究所.项目经费 252.32万元.2009-03-31.资助文献数 0 篇