王志玮
【姓名】 王志玮
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 深亚微
【发表文献关键词】 双栅MOSFET,自对准,超深亚微米,亚微米工艺,双栅,RIE刻蚀,栅长,电子束曝光,结合胶,MOS器件,灰化,工艺技术,氮化硅,外延,器件物理,图形,CMOS器件,摩尔定律,制作技术,CMOS,
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]王志玮,徐秋霞.超深亚微米自对准平面双栅MOSFET假栅的制作[J]微电子学.2005,(01)
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