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汤仙明
【姓名】
汤仙明
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
栅控二极管,抗E,CMOS/SOI,管脚,ESD保护电路,体硅,限流电阻,SOI电路,硅膜,SD性,输入端,ESD保护,H-13,二极管,微电,I-V特性,SOI技术,二极管结构,栅控,硅集成,
【工作单位】
中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】
中国科学院微电子研究所;
【所在地域】
北京
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共找到1篇
[1]汤仙明,韩郑生,周小茵,海潮和,赵立新.
CMOS/SOI64-kB SRAM抗ESD实验
[J]微电子学.2004,(06)
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