钱鹤
【姓名】 钱鹤
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 AlGaN/GaN,势垒层,HEMT,LDMOS,二维电子气,高电子迁移率晶体管,NMOS,射频,抗辐照,集成器件,隔离结构,SOI器件,绝缘硅,功率器件,辐照效应,反相器,输出高电平,Al组分,Al...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]杨荣;李俊峰;徐秋霞;海潮和;韩郑生;钱鹤;.截止频率53GHz的高性能0 .18μm射频nMOSFET(英文)[J]半导体学报.2006,(08)
[2]孙浩;齐鸣;徐安怀;艾立鹍;苏树兵;刘新宇;刘训春;钱鹤;.带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析[J]半导体学报.2006,(08)
[3]王晓亮;胡国新;马志勇;肖红领;王翠梅;罗卫军;刘新宇;陈晓娟;李建平;李晋闽;钱鹤;王占国;.MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构(英文)[J]半导体学报.2006,(09)
[4]赵洪辰;海潮和;韩郑生;钱鹤;.辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响。[J]固体电子学研究与进展.2006,(03)
[5]杨荣;李俊峰;钱鹤;.改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀[J]固体电子学研究与进展.2006,(03)
[6]欧文,钱鹤.SCDI结构快闪存储器件Ⅰ:模拟与分析(英文)[J]半导体学报.2004,(04)
[7]欧文,钱鹤.SCDI结构快闪存储器件Ⅱ:实验与器件特性(英文)[J]半导体学报.2004,(05)
[8]李俊峰,杨荣,赵玉印,柴淑敏,刘明,徐秋霞,钱鹤.部分耗尽0.25μmSOI射频nMOSFET(英文)[J]半导体学报.2004,(09)
[9]赵洪辰,海潮和,韩郑生,钱鹤.隔离技术对SOI PMOSFET中空穴迁移率的影响[J]半导体学报.2004,(10)
[10]杨荣,李俊峰,钱鹤,韩郑生.一种新的SOI射频集成电路结构与工艺[J]微电子学.2004,(05)
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]钱鹤;.快闪存储器新单元结构的研究[A].中国科学院微电子研究所;.项目经费 20万元.2002-03-31.资助文献数 3 篇
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