金湘亮
【姓名】 金湘亮
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 为数模混合大规模集成电路设计
【发表文献关键词】 图像传感器,双极结型光栅晶体管,CMOS,CCD,行为级模拟方法,光电检测器,CMOS图像传感器,光栅晶体管,图像传感,瞬态模型,相关双取样,CMOS工艺,像素,行为级,CCD图像传感器,低功耗,相关...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]马建斌;金湘亮;计峰;陈杰;.一种1.8V24×10~(-6)/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源(英文)[J]电子器件.2006,(03)
[2]曾云;金湘亮;胡磊;王太宏;.新型光电探测器及其填充系数的确定[J]光电工程.2007,(07)
[3]金湘亮,陈杰,仇玉林.A novel wide-dynamic-range logarithmic-response bipolar junction photogate transistor for CMOS imagers[J]Chinese Optics Letters.2003,(08)
[4]金湘亮,陈杰,仇玉林.一种新型低功耗准动态移位寄存器的模拟[J]固体电子学研究与进展.2004,(01)
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