学者知网节

中国期刊全文数据库 共找到16篇

[1]周静涛;杨成樾;葛霁;金智;.Planar InP-based Schottky barrier diodes for terahertz applications[J]Journal of Semiconductors.2013,(06)

[2]姚鸿飞;王显泰;吴旦昱;苏永波;曹玉雄;葛霁;宁晓曦;金智;.W-band push–push monolithic frequency doubler in 1-μm InP DHBT technology[J]Journal of Semiconductors.2013,(09)

[3]苏永波;金智;程伟;葛霁;王显泰;陈高鹏;刘新宇;徐安怀;齐鸣;.An InGaAs/InP 40 GHz CML static frequency divider[J]半导体学报.2011,(03)

[5]葛霁;金智;苏永波;程伟;刘新宇;吴德馨;.一种InP双异质结双极晶体管小信号物理模型及其提取方法[J]物理学报.2009,(12)

[6]曹玉雄;金智;葛霁;苏永波;刘新宇;.A symbolically defined InP double heterojunction bipolar transistor large-signal model[J]半导体学报.2009,(12)

[7]樊宇伟;申华军;葛霁;刘新宇;和致经;吴德馨;.4GHz 300mWInGaP/GaAs HBT功率管研制[J]电子器件.2006,(01)

[8]申华军;陈延湖;严北平;葛霁;王显泰;刘新宇;吴德馨;.C波段3.5W/mm,PAE>40%的InGaP/GaAs HBT功率管[J]半导体学报.2006,(09)

[9]申华军;陈延湖;严北平;杨威;葛霁;王显泰;刘新宇;吴德馨;.GaAs MMIC用无源元件的模型[J]半导体学报.2006,(10)

[10]陈延湖;申华军;王显泰;葛霁;李滨;刘新宇;吴德馨;.具有在片稳定网络的GaAs HBT微波功率管(英文)[J]半导体学报.2006,(12)

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中国重要会议全文数据库 共找到4篇

[1]申华军;陈延湖;葛霁;王显泰;刘新宇;吴德馨;.5.4GHz 1W InGaP/GaAs HBT功率管[A].2005'全国微波毫米波会议论文集（第三册）.2006-02-27

[2]葛霁;刘新宇;申华军;陈延胡;吴德馨;.GaAs HBT VBIC模型参数的提取[A].2005'全国微波毫米波会议论文集（第三册）.2006-02-27

[3]陈高鹏;葛霁;程伟;王显泰;苏永波;金智;刘新宇;.W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[4]葛霁;金智;程伟;苏永波;刘新宇;.改进了渡越时间方程的InP DHBT模型[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

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【姓名】	葛霁
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】	InGaP/GaAs,异质结双极晶体管,功率管,HBT,微波功率管,稳定性,MMIC,矩形螺旋电感,MIM电容,薄膜电阻,多项式拟合公式,发射极,无源元件,功率密度,电流增益,镇流电阻,饱和输出功率,...
【工作单位】	中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】	中国科学院微电子研究所;
【所在地域】	北京

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