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【姓名】	毕津顺
【职称】	副研究员;
【研究领域】	无线电电子学;计算机硬件技术;电力工业;
【研究方向】	SOI器件、工艺和电路研究
【发表文献关键词】	SOI,低压低功耗电路,阈值电压,DTMOS,超大规模集成电路,击穿特性,部分耗尽SOI,半背沟道,翘曲效应,亚阈值泄漏电流,H型栅,pMOSFET,击穿电压,肖特基接触,动态阈值,肖特基势垒结构,工...
【工作单位】	中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】	中国科学院微电子研究所;
【所在地域】	北京

中国期刊全文数据库 共找到60篇

[1]毕津顺;沈立志;梅博;曹爽;孙毅;于庆奎;.面向空间应用的GaN功率器件及其辐射效应[J]国防科技大学学报.2024,(01)

[2]陈麒宇;杨西荣;李宗臻;毕津顺;习凯;张振兴;翟鹏飞;孙友梅;刘杰;.Investigation of heavy ion irradiation effects on a charge trapping memory capacitor by C–V measurement[J]Chinese Physics B.2023,(09)

[3]范林杰;毕津顺;习凯;赵碧瑶;徐彦楠;季兰龙;.γ射线辐照柔性基底石墨烯霍尔传感器的总剂量效应[J]现代应用物理.2022,(03)

[4]陈丹旸;毕津顺;习凯;王刚;.PBTI stress-induced 1/f noise in n-channel FinFET[J]Chinese Physics B.2020,(12)

[5]王菡滨;刘梦新;毕津顺;李伟;.Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管TCAD仿真研究[J]微电子学.2021,(03)

[6]陈丹旸;季兰龙;李梅;李博;毕津顺;刘明;.55 nm SONOS闪存单元的1/f噪声特性研究[J]微电子学.2019,(06)

[7]宋文斌;王莉;宗杨;毕津顺;韩郑生;.体偏置对SOI CMOS器件单粒子瞬态特性的影响[J]功能材料与器件学报.2018,(02)

[8]曹杨;习凯;徐彦楠;李梅;李博;毕津顺;刘明;.55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的γ射线和X射线电离总剂量效应研究[J]物理学报.2019,(03)

[9]王健健;白华;许高博;李梅;毕津顺;.Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2基铁电电容器的特性研究[J]微电子学.2019,(03)

[10]刘璟;谢元禄;霍长兴;呼红阳;张坤;毕津顺;刘明;.65nm闪存芯片擦除时间退化的优化设计[J]电子科技大学学报.2019,(04)

中国重要会议全文数据库 共找到4篇

[1]刘梦新;刘刚;卜建辉;范雪梅;毕津顺;赵发展;韩郑生;.基于0.1μm PDSOI工艺的射频MOS器件电离总剂量辐照效应研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[2]毕津顺;曾传滨;刘刚;罗家俊;韩郑生;.面向深空探测耐低温抗辐射集成电路设计方法学研究[A].中国宇航学会深空探测技术专业委员会第八届学术年会论文集（下篇）.2011-10-25

[3]宿晓慧;毕津顺;刘刚;罗家俊;韩郑生;.空间辐射单粒子瞬态脉冲宽度测量电路研究[A].中国宇航学会深空探测技术专业委员会第十届学术年会论文集.2013-08-03

[4]贾少旭;毕津顺;刘刚;罗家俊;韩郑生;.Geant4应用于半导体器件单粒子翻转效应的研究[A].中国宇航学会深空探测技术专业委员会第十届学术年会论文集.2013-08-03

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