谢江锋
【姓名】 谢江锋
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 输运量,GaN薄膜,气相外延,外延层,底托架,x值,生长速率,衬底片,直接跃迁,外延生长,场致发光,生长区,外延膜,反应剂,发光光谱,积量,输运,六方晶系,外延,反应区,
【工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
【所在地域】
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[1]黄锡珉,富淑清,谢江锋,范广涵,胡光,刘汉芝.对气相外延GaN薄膜生长的研究[J]国外发光与电光.1979,(Z1)
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