孙甲明
【姓名】 孙甲明
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电信技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 多孔硅,光电压,超晶格,ZnSe,Znse,CdZnSe,电荷存贮,光双稳器件,阳极溶解,p型,S_i量子点,生长层,GaAs衬底,过渡层,MOCVD,薄膜,激子吸收,多量子阱,光致发光,绝缘层,AC...
【工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
【所在地域】 长春
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[1]孙甲明,钟国柱,范希武.非晶Si/SiO_2超晶格结构的交流电致发光[J]发光学报.2000,(01)
[2]孙甲明，申德振，范希武，张吉英，吕有明，杨宝均.ZnSe－CdZnse多量子阱光双稳器件的研制[J]发光学报.1994,(02)
[3]吕有明，杨宝均，张吉英，关郑平，陈连春，孙甲明，申德振，范希武.常压MOCVD法生长的p型ZnSe及其光电特性[J]发光学报.1994,(03)
[4]钟国柱,孙甲明,付国柱,郑陈玮,张曙芝,范希武.复合绝缘层交流薄膜电致发光显示屏的综合设计[J]光电子技术.1996,(04)
[5]孙甲明,张吉英,申德振,范希武.多孔硅的电荷存贮特性与光电压滞后衰减[J]发光学报.1993,(02)
[6]张吉英,孙甲明,范希武,姜锦秀,陈连春.ZnSe-ZnS超晶格的通光蚀孔及列阵研究[J]发光学报.1993,(04)
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