何胜夫
【姓名】 何胜夫
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 腐蚀特性,化学腐蚀,有源区,红光二极管,GaAlAs单异质结,InGaAsP/InP,腐蚀速率,单异质结,热载流子,半导体激光器,腐蚀图形,腐蚀系统,腐蚀深度,GaAlAs,光刻胶,激光器,薄夹层,光...
【工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
【所在地域】 长春
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[1]李安民,何胜夫,刘宝成,李殿英,杨清玉.GaAs—GaAlAs液相外延生长层表面形貌的探讨[J]半导体光电.1981,(02)
[2]刘益春,何胜夫,李向文,朱有才,张月清.InP在两种化学腐蚀系统中的腐蚀特性[J]发光学报.1988,(03)
[3]刘益春,张月清,何胜夫,朱有才.1.3μm InGaAsP/InP DCC结构半导体激光器[J]发光学报.1990,(01)
[4]何胜夫;.稀土Yb掺杂InP液相外延的研究[J]发光快报.1990,(04)
[5]罗宗铁,何胜夫,董萍,李向文,魏文超,赵宇.高亮度GaAlAs单异质结红光二极管[J]发光学报.1993,(04)
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