葛中久
【姓名】 葛中久
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 容许因子,高压合成,层错几率,旋进法,钙钛矿结构,损伤层,单晶,高温高压合成,照相法,GaAs,晶片,透明衬底,常压MOCVD,InAs,抛光,影响因素,单晶薄膜,ZnSe,CaF_2,衍射强度分布,...
【工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
【所在地域】 长春
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[1]韩杰,邹广田,赵永年,葛中久,李守春.层状铁电体Ba_(1-x)Bi_(2+x)Ti_xNb_(2-x)O_9的结构相变研究[J]光散射学报.1999,(04)
[2]葛中久，李梅，张志舜，冯禹臣.半导体异质外延薄膜质量的X射线衍射检测方法[J]发光学报.1996,(03)
[3]李梅，葛中久，张志舜.Ge_xSi_（1－x）／Si应变超晶格的质量鉴别[J]吉林大学自然科学学报.1996,(02)
[4]张英兰,赵绪义,葛中久.Dy~(3+)在Ca_(1-x)Sr_xS:Eu~(2+)Er~(3+)中的光致发光特性[J]吉林大学自然科学学报.1997,(04)
[5]王一峰,千正男,李晓原,马贤锋,周建十,吴代鸣,苏文辉,刘维娜,葛中久.LaDyO_3,LaGdO_3的高温高压合成[J]吉林大学自然科学学报.1987,(03)
[6]葛中久,刘维娜.2H-ZnS单晶层错几率的旋进法测定中影响因素的研究[J]发光学报.1988,(04)
[7]关郑平,范广涵,范希武,宋世惠,葛中久,李梅.常压MOCVD法在透明衬底CaF_2上生长高质量ZnSe单晶薄膜[J]人工晶体.1988,(Z1)
[8]葛中久,曹望和,袁佑荣.GaAs晶片抛光损伤层的测量[J]人工晶体.1988,(Z1)
[9]周天明,金亿鑫,蒋红,元金山,张宝林,杜明泽,葛中久.Ga_(1-x)In_xAs/InAs_yP_(1-y)/InP异质结的MOCVD生长及表征[J]发光学报.1992,(01)
[10]周天明,张宝林,蒋红,宁永强,刘乃康,金亿鑫,元金山,缪国庆,葛中久.Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y合金的MOCVD生长[J]发光学报.1992,(02)
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