富叔清
【姓名】 富叔清
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 外延生长,形貌,角锥体,GaN膜,晶体表面,生长机制,角锥,生长坑,生长速率,GaAs,霍耳测量,条件,三温区,外延炉,场致发光器件,衬底取向,实验结果,有效表面积,晶体形貌,多晶,
【工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
【所在地域】
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[1]公锰男,谢江峰,孙亚莉,富叔清,张传平.外延生长条件对GaN形貌的影响[J]人工晶体.1985,(Z1)
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