朱文珍
【姓名】 朱文珍
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体材料测试与分析工作
【发表文献关键词】 电子陷阱,电子束辐照,电子束光刻,平带电压,界面态密度,陷阱密度,辐照损伤,俘获截面,电荷,陷阱,GexSi1-x合金,电场,电化学C-V,界面态,P／GaAs,辐照,电化学C－V,电子能量,界面固定...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]张秀兰,朱文珍,黄大定.GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布[J]半导体学报.2001,(03)
[2]朱文珍.直接写入电子束光刻中的辐照损伤[J]半导体技术.1995,(02)
[3]朱文珍.用电化学C－V技术研究Ga　In　P／GaAs异质结界面特性[J]半导体技术.1996,(04)
[4]孙毓平,朱文珍,梁俊厚,葛璜,梁久春.电子束光刻中的辐照损伤[J]电子科学学刊.1985,(04)
[5]朱文珍,常秀勤,李月霞,安贵仁,宁华.SiO_2中电子束辐照产生的电子陷阱[J]半导体学报.1985,(01)
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