学者知网节

【姓名】	朱勤生
【职称】	研究员;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;预防医学与卫生学;
【研究方向】
【发表文献关键词】	GaAs,量子点,单量子阱,光致发光谱,InGaN,GaN,共振隧穿,声表面波速度,InGaN/GaN,机电耦合系数,中国科学院,MOCVD,空穴子带,声表面波,表面物理,重空穴,GaN量子点,国家重...
【工作单位】	中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】	中国科学院半导体研究所;
【所在地域】	北京

中国期刊全文数据库 共找到14篇

[1]宋亚峰;朱勤生;孔雄雄;焦壮壮;.不同参数的不对称阶梯型量子阱等离激元特性研究[J]中国锰业.2016,(05)

[3]宋亚峰;朱勤生;孔雄雄;焦壮壮;.外电场下不对称阶梯型量子阱的等离激元特性[J]电子技术与软件工程.2016,(22)

[4]宋亚峰;师李寰宇;陈显平;杨超普;檀春健;朱勤生;李辉杰;.不同浓度F掺杂MoS_2性质的第一性原理计算研究[J]中国锰业.2017,(04)

[5]宋亚峰;朱勤生;焦壮壮;孔雄雄;李辉杰;.微观量子器件中分子马达单向转动的条件机理研究[J]中国锰业.2017,(05)

[6]王建霞;汪连山;杨少延;李辉杰;赵桂娟;张恒;魏鸿源;焦春美;朱勤生;王占国;.Effects of V/Ⅲ ratio on a-plane GaN epilayers with an InGaN interlayer[J]Chinese Physics B.2014,(02)

[7]谷承艳;刘贵鹏;时凯;宋亚峰;李成明;刘祥林;杨少延;朱勤生;王占国;.Spacer layer thickness fluctuation scattering in a modulation-doped Al_xGa_(1-x)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As quantum well[J]Chinese Physics B.2012,(10)

[8]王建霞;杨少延;王俊;刘贵鹏;李志伟;李辉杰;金东东;刘祥林;朱勤生;王占国;.Electron mobility limited by surface and interface roughness scattering in Al_xGa_(1-x)N/GaN quantum wells[J]Chinese Physics B.2013,(07)

[9]宋亚峰;吕燕伍;文伟;刘祥林;杨少延;朱勤生;王占国;.Plasmons in a free-standing nanorod with a two-dimensional parabolic quantum well caused by surface states[J]Chinese Physics B.2012,(05)

[10]王振华;杨安丽;刘祥林;魏鸿源;焦春美;朱勤生;杨少延;王占国;.MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响(英文)[J]人工晶体学报.2010,(01)

中国重要会议全文数据库 共找到1篇

[1]徐学敏;朱贻盛;俞梦荪;陶祖莱;孔繁亮;张建国;程琦;朱勤生;张爱丽;童善保;孟旭东;.人体健康状态系统辨识研究[A].第十届中国科协年会论文集（三）.2008-09-01

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