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赵德刚

【姓名】	赵德刚
【职称】	教授;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】	宽禁带半导体材料与光电子器件
【发表文献关键词】	GaN生长,热退火,p型,空穴浓度,Ⅴ/Ⅲ比,光致发光,紫外探测器,MOCVD,掺杂研究,太阳盲区,肖特基结,PIN,生长速率,TMGa,响应率,GaN/AlGaN,p-i-n,退火温度,生长温度,生...
【工作单位】	中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】	中国科学院半导体研究所;
【所在地域】	北京

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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中国期刊全文数据库 共找到112篇

[2]黄渝婕;杨静;赵德刚;.GaN基紫外激光器（特邀）[J]中国激光.2025,(16)

[3]陈平;赵德刚;冯美鑫;江德生;刘宗顺;张立群;李德尧;刘建平;王辉;朱建军;张书明;张宝顺;杨辉;.A High Power InGaN-Based Blue-Violet Laser Diode Array with a Broad-Area Stripe[J]Chinese Physics Letters.2013,(10)

[4]李亮;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;吴亮亮;乐伶聪;王辉;杨辉;.The Effects of a Low-Temperature GaN Interlayer on the Performance of InGaN/GaN Solar Cells[J]Chinese Physics Letters.2013,(02)

[5]张臻琢;杨静;赵德刚;梁锋;陈平;刘宗顺;.Influence of the lattice parameter of the AlN buffer layer on the stress state of GaN film grown on(111) Si[J]Chinese Physics B.2023,(02)

[6]曹子坤;赵德刚;杨静;朱建军;梁锋;刘宗顺;.A MOVPE method for improving InGaN growth quality by pre-introducing TMIn[J]Chinese Physics B.2021,(01)

[7]吴昕宁;刘昭阳;刘明佳;赵云涛;齐浩然;周梅;沈慧星;赵德刚;.碳杂质对p-GaN电阻率的补偿作用研究[J]中国激光.2021,(13)

[8]陈平;赵德刚;江德生;杨静;朱建军;刘宗顺;刘炜;梁锋;刘双韬;邢瑶;张立群;.Evaluation of polarization field in InGaN/GaN multiple quantum well structures by using electroluminescence spectra shift[J]Chinese Physics B.2020,(03)

[9]曹子坤;刘宗顺;江德生;朱建军;陈平;赵德刚;.高增益GaN基PIN雪崩二极管的制备及p-GaN层载流子浓度的估算（英文）[J]发光学报.2020,(06)

[10]梁锋;赵德刚;江德生;刘宗顺;朱建军;陈平;杨静;.光场分布对GaN基绿光激光器的影响[J]中国激光.2020,(07)

中国重要会议全文数据库 共找到4篇

[1]陈平;赵德刚;侍铭;郑军;成步文;王启明;.基于负电子亲和势的AlN冷阴极材料的场发射特性[A].中国真空学会2014学术年会论文摘要集.2014-11-07

[2]赵德刚;.GaN基光电子材料与器件[A].中国真空学会2014学术年会论文摘要集.2014-11-07

[3]龚海梅;张燕;赵德刚;郭丽伟;李向阳;.基于GaN的半导体紫外光传感器[A].第二届长三角地区传感技术学术交流会论文集.2006-11-01

[4]陈亮;亢勇;朱龙源;赵德刚;李向阳;龚海梅;.Cl_2/Ar/BCl_3 ICP刻蚀AlGaN的研究[A].第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集.2007-08-01

承担国家科研项目 共找到2个

[1]赵德刚;.位错和点缺陷对日盲型AlGaN紫外探测器性能的影响机理[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 35万元.2007-03-31.资助文献数 2 篇

[2]赵德刚.GaN基光电子材料与器件的基础问题[A].中国科学院半导体研究所.项目经费 200万元.2009-03-20.资助文献数 0 篇