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[1]王宁娟;刘忠立;李宁;张国强;于芳;郑中山;李国花;.注氮、注氟SIMOX/NMOS器件辐射加固性能(英文)[J]功能材料与器件学报.2007,(05)
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[2]张恩霞,孙佳胤,易万兵,陈静,金波,陈猛,张正选,张国强,王曦.注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究[J]功能材料与器件学报.2004,(04)
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[3]张恩霞,钱聪,张正选,王曦,张国强,李宁,郑中山,刘忠立.注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响[J]半导体学报.2005,(06)
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[4]郑中山,刘忠立,张国强,李宁,范楷,张恩霞,易万兵,陈猛,王曦.埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响[J]物理学报.2005,(01)
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[5]李宁,张国强,刘忠立,范楷,郑中山,林青,张正选,林成鲁.部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应[J]半导体学报.2005,(02)
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[6]张国强,刘忠立,李宁,范楷,郑中山,张恩霞,易万兵,陈猛,王曦.注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响[J]半导体学报.2005,(04)
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[7]郑中山,刘忠立,张国强,李宁,李国花,马红芝,张恩霞,张正选,王曦.SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性(英文)[J]半导体学报.2005,(05)
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