张春晖
【姓名】 张春晖
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 垂直腔,面发射激光器,选择腐蚀,GaAs／AlGaAs,SiGe,氧化速度,分子束,选择氧化法,UHV/CVD,有源区,GaAs,氧化特性,异质材料,选择氧化,超高真空化学气相淀积,Raman散射,有...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]成步文,李代宗,黄昌俊,于卓,张春晖,王玉田,余金中,王启明.UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料[J]半导体学报.2000,(03)
[2]李代宗,成步文,黄昌俊,王红杰,于卓,张春晖,余金中,王启明.Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响[J]半导体学报.2000,(08)
[3]李代宗,成步文,黄昌俊,王红杰,于卓,张春晖,余金中,王启明.组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征[J]半导体学报.2000,(11)
[4]康学军，林世鸣，高俊华，高洪海，王启明，王红杰，王立轩，张春晖.由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器[J]半导体学报.1996,(11)
[5]林世鸣，康学军，高俊华，高洪海，王启明，王红杰，王立轩，张春晖.室温连续工作的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵[J]高技术通讯.1996,(05)
[6]康学军,林世鸣,高俊华,廖奇为,朱家廉,王红杰,张春晖,王启明.Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究[J]半导体学报.1997,(10)
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