叶式中
【姓名】 叶式中
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;化学;科学研究管理;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InP单晶,液封直拉,半绝缘,位错密度,A峰,低温光致发光,掺In,位错,声子,大截面,电子掺杂,GaAs单晶,砷化镓,单晶,本征缺陷,水平法,等价电子,正电子湮没,晶体,钉扎,GaAS,固溶强化,等...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到8篇
[1]吴灵犀,刘巽琅,叶式中,孟庆惠,李永康.高压液封直拉InP单晶的低温光致发光研究[J]半导体学报.1984,(02)
[2]叶式中;刘巽琅;柴喜云;焦景华;赵健群;曹惠梅;孙文荣;.掺Fe-InP单晶电阻率的估算和几个有关的问题[J]仪表材料.1984,(05)
[3]叶式中;.工作扎实、讲究实效、扩大应用[J]仪表材料.1986,(01)
[4]林兰英,叶式中,何宏家,曹福年.掺铟低位错密度的半绝缘砷化镓[J]半导体学报.1987,(02)
[5]叶式中,杨保华.用固溶强化模型计算InP中等价电子杂质对位错的钉扎力[J]半导体学报.1988,(02)
[6]李庆辉,王继荣,何宏家,叶式中.大截面低位错水平法GaAs单晶研制[J]稀有金属.1988,(01)
[7]叶式中,杨保华,徐岭.等电子杂质Sb对InP中缺陷的影响[J]半导体学报.1990,(04)
[8]林兰英;叶式中;.半导体材料的新发展[J]半导体情报.1992,(06)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]焦景华;余辉;叶式中;.在锑化镓中掺入等电子杂质的研究[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
[2]余辉;焦景华;叶式中;.掺碲GaSb单晶材料电学性质的研究[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
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