杨锡震
【姓名】 杨锡震
【职称】 副教授;
【研究领域】 无线电电子学;化学;
【研究方向】 固体中的杂质、缺陷研究
【发表文献关键词】 离子束外延,双离子束淀积,深度剖析,氧化硅,氧化铈,外延层,热处理,异质结,化学配比,外延生长,Si异质结,异质结构,低价氧化物,电子能谱,AES深度剖析,CeO_2,子晶格,向内扩散,底表面,体特性...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]黄大定,王军杰,杨锡震,吴正龙.对离子束外延氧化铈/硅热处理行为的初步研究[J]半导体学报.1997,(07)
[2]吴正龙,黄大定,杨锡震.电子能谱研究生长高质量CeO_2/Si异质结[J]真空科学与技术.1998,(06)
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