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杨少延

【姓名】	杨少延
【职称】	副研究员;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】	新型信息功能薄膜材料与离子束外延技术
【发表文献关键词】	GaAs∶Gd薄膜,低能离子束外延,低能离子束,GaAs衬底,薄膜,铁,硅,镓、钆、砷薄膜,低能离子束系统,离子束淀积,砷化镓衬底,离子束外延,GaAs,重掺杂,Si薄膜,X射线衍射,淀积方法,样品表...
【工作单位】	中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】	中国科学院半导体研究所;
【所在地域】	北京

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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中国期刊全文数据库 共找到42篇

[1]李亚洲;马占红;姚威振;杨少延;刘祥林;李成明;王占国;.MOCVD载气流量对GaN外延生长的影响[J]人工晶体学报.2025,(06)

[2]张可欣;李庚伟;杨少延;魏洁;.n-GaN上Au/Zr和Au/Ti金属电极的界面反应和金属间互扩散行为对比研究[J]材料导报.2022,(21)

[4]高洁;姚威振;杨少延;魏洁;李成明;魏鸿源;.磁控溅射ZrN薄膜的生长机理及光学性能[J]人工晶体学报.2021,(05)

[5]高洁;姚威振;杨少延;魏洁;李成明;魏鸿源;.衬底温度对磁控溅射ZrN薄膜结构和物理性能的影响[J]功能材料.2021,(09)

[6]牛慧丹;孔苏苏;杨少延;刘祥林;魏鸿源;姚威振;李辉杰;陈庆庆;汪连山;王占国;.温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理（英文）[J]发光学报.2021,(11)

[7]李琳;李成明;杨功寿;胡西多;杨少延;苏宁;.三层热壁金属有机化学气相外延流场计算机模拟[J]真空.2019,(01)

[8]谭晓宇;杨少延;李辉杰;.基于二维材料的Ⅲ族氮化物外延[J]化学学报.2017,(03)

[9]吉泽生;汪连山;赵桂娟;孟钰淋;李方政;李辉杰;杨少延;王占国;.Growth and characterization of AlN epilayers using pulsed metal organic chemical vapor deposition[J]Chinese Physics B.2017,(07)

[10]韩东岳;李辉杰;赵桂娟;魏鸿源;杨少延;汪连山;.Aluminum incorporation efficiencies in A- and C-plane AlGaN grown by MOVPE[J]Chinese Physics B.2016,(04)

中国重要会议全文数据库 共找到9篇

[1]贾彩虹;陈涌海;周晓龙;刘根华;郭严;刘祥林;杨少延;王占国;.SrTiO3衬底上MOCVD生长InN外延薄膜[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[2]廖梅勇;刘志凯;柴春林;杨少延;秦复光;姚振钰;王古国;.低能离子束技术制备纳米碳管初探[A].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000-11-01

[3]杨少延;柴春林;廖梅勇;刘志凯;姚振钰;秦复光;王占国;.GaN蓝光材料新型外延衬底ZnO/Si的低能O~+离子束辅助PLD法生长[A].2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30

[4]杨少延;柴春林;刘志凯;廖梅勇;姚振钰;秦复光;王占国;.低能O~+离子束辅助PLD法外延生长ZnO薄膜[A].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000-11-01

[5]刘志凯;廖梅勇;姚振钰;柴春林;杨少延;王占国;.质量分离低能离子束制备极光滑类金刚石薄膜[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01

[6]杨少延;柴春林;刘志凯;廖梅勇;姚振钰;秦复光;王占国;.ZnO薄膜的IBA-PLD法外延生长研究[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01

[7]宋书林;陈诺夫;尹志岗;柴春林;杨少延;刘志凯;.离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究[A].第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ.2004-09-01

[8]刘志凯;宋书林;陈诺夫;尹志岗;柴春林;杨少延;.室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究[A].第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ.2004-09-01

[9]杨少延;柴春林;刘志凯;陈涌海;陈诺夫;王占国;.离子束外延技术与新材料研究[A].2005年中国固体科学与新材料学术研讨会专辑.2005-03-01

承担国家科研项目 共找到3个

[1]杨少延;.生长温度周期调制的MOCVD法制备p型ZnO薄膜研究[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 32万元.2007-03-31.资助文献数 0 篇

[2]杨少延;.GaN与ZnO异质外延中的Si基协变超薄中间层研究[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 23万元.2005-03-31.资助文献数 0 篇

[3]杨少延.硅基氮化镓厚膜制备中的大失配应力调控方法与机制研究[A].中国科学院半导体研究所.项目经费 46万元.2009-03-20.资助文献数 0 篇