杨国华
【姓名】 杨国华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 反射相移,厚度偏差,VCSEL,反射谱,面发射激光器,分子束外延MBE,晶片键合,硅掺杂,砷化镓,电化学C-V,键合,热应力,有限元分析,载流子浓度,垂直腔,键合技术,光致发光谱,有源区,长波长,键合...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]何国荣;渠红伟;杨国华;郑婉华;陈良惠;.GaAs／InP键合电学性质的研究[J]量子电子学报.2010,(04)
[2]肖雪芳;杨国华;王国宏;王树堂;陈良惠;.平面型InGaAs/InP APD边缘提前击穿行为的抑制[J]半导体光电.2006,(03)
[3]何国荣;杨国华;郑婉华;吴旭明;王小东;曹玉莲;王青;陈良惠;.用有限元方法分析Si/GaAs的键合热应力(英文)[J]半导体学报.2006,(11)
[4]何国荣;郑婉华;渠红伟;杨国华;王青;吴旭明;曹玉莲;陈良惠;.键合方法制备长波长面发射的实验和分析[J]半导体学报.2007,(03)
[5]何国荣;郑婉华;渠红伟;杨国华;王青;曹玉莲;陈良惠;.键合界面对面发射激光器的光、热性质影响[J]红外与激光工程.2007,(06)
[6]何国荣;郑婉华;渠红伟;杨国华;王青;曹玉莲;陈良惠;.键合界面对面发射激光器光与热性质的影响[J]物理学报.2008,(03)
[7]肖雪芳;杨国华;归强;王国宏;马晓宇;陈朝;陈良惠;.InGaAs/InP APD探测器光电特性检测[J]电子科技大学学报.2008,(03)
[8]侯识华,赵鼎,孙永伟,杨国华,谭满清,陈良惠.厚度偏差对VCSEL的反射谱和反射相移的影响[J]光学与光电技术.2004,(04)
[9]徐云,曹青,朱晓鹏,杨国华,甘巧强,宋国峰,郭良,李玉璋,陈良惠.High power AlGaInP laser diodes with zinc-diffused window mirror structure[J]Chinese Optics Letters.2004,(11)
[10]孙永伟,张秀兰,杨国华,叶晓军,陈良惠.GaAs分子束外延中硅阶梯掺杂优化及C-V测量[J]激光与红外.2005,(08)
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