杨笛
【姓名】 杨笛
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 Si基光电子和半导体光电子集成方面的研究
【发表文献关键词】 偏移容差,耦合效率,光斑,光纤,固定联接,耦合损耗,波导,转换器,光开关矩阵,光波导,脊形,粗糙度,单模条件,多模干涉,侧壁,绝缘衬底,双包层,联接技术,脊形波导,波导器件,掩膜,定位槽,光场分布,V...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]杨笛,余金中,刘忠立.光纤与波导器件的联接技术[J]激光与红外.2003,(04)
[2]杨笛,夏金松,余金中,陈少武,刘忠立.有双包层结构的楔变脊型光斑转换器的设计(英文)[J]半导体学报.2004,(08)
[3]余金中,陈少武,夏金松,王章涛,樊中朝,李艳萍,刘敬伟,杨笛,陈媛媛.SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展[J]中国科学E辑:信息科学.2004,(10)
[4]樊中朝,余金中,陈少武,杨笛,严清峰,王良臣.ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响[J]半导体学报.2004,(11)
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