许国阳
【姓名】 许国阳
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】 DFB激光器和EA
【发表文献关键词】 优化生长,InP,选择区域生长,选区外延,半绝缘,EML,LPMOVPE,InGaAsP,DFB激光器,多量子阱,LP-MOCVD,激光器,单片集成,脊型波导,电吸收调制器,电吸收调制,脊条,摩尔流量...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]许国阳,颜学进,朱洪亮,段俐宏,周帆,田慧良,白云霞,王圩.半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器[J]半导体学报.2000,(02)
[2]刘国利,王圩,张佰君,许国阳,陈娓兮,叶小玲,张静媛,汪孝杰,朱洪亮.选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料[J]半导体学报.2001,(05)
[3]刘国利,王圩,许国阳,陈娓兮,张佰君,周帆,张静媛,汪孝杰,朱洪亮.选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器[J]中国激光.2001,(04)
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