夏永伟
【姓名】 夏永伟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 背接触,硅衬底,硅膜,MOS电容器,薄体,势垒高度,电极间隙,SOI结构,双层多晶硅,势垒,耗尽层,表面势,电势,栅压,两维分析,混合集成,连续逻辑,线性“与或”门,MOS晶体管,正界面,电势分布,界...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]夏永伟，李国花，滕学公，樊志军.染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性[J]半导体学报.1994,(10)
[2]夏永伟,孔令坤,张冬萱.硅衬底厚度和背接触势垒高度对MOS电容器性能的影响[J]半导体学报.1984,(03)
[3]王守武,夏永伟,孔令坤,张冬萱.SOI结构中的薄体效应[J]半导体学报.1985,(03)
[4]王守武,何乃明,夏永伟.双层多晶硅电极间隙势垒的两维分析[J]半导体学报.1985,(04)
[5]王守觉,夏永伟,孔令坤,李远镜,何乃明.一种无隔离区的DYL MOS混合集成新电路[J]电子学报.1986,(01)
[6]夏永伟,孔令坤,张冬萱,王守觉.基于连续逻辑的模糊自动控制系统[J]电子学报.1988,(01)
[7]夏永伟,G.Pananakakis,G.Kamarinos.MIS隧道器件电流-电压特性的数值模拟[J]半导体学报.1989,(11)
[8]夏永伟,王守武.薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系[J]半导体学报.1990,(12)
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