王佑祥
【姓名】 王佑祥
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅太阳能电池,肖特基结,硅化物,多晶,ESCA分析,GaAs,Ti/Si,太阳能电池,痕量氧,界面物理,俄歇,多层结构,超导薄膜,n型,肖特基二极管,ESCA,Si系,真空热处理,特性研究,热处理,热...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]李锋,张耀辉,江德生,王佑祥.In_xGa_(1-x)As/GaAs应变量子阱光学性质[J]红外与毫米波学报.1994,(05)
[2]陈新,王佑祥.Ti/A1N快速退火界面反应的实验研究[J]真空科学与技术.1997,(03)
[3]岳瑞峰,王佑祥,陈春华,徐传骧.Ti-AlN界面组分分布的二次离子质谱研究[J]真空科学与技术.1998,(01)
[4]李炳胜,王佑祥,余海仁,许振嘉.MIS多晶硅太阳能电池的AES和ESCA分析[J]半导体学报.1981,(01)
[5]陈克铭,王良臣,王佑祥.金属-n型GaAs界面物理特性研究[J]半导体学报.1982,(01)
[6]李宝骐,王佑祥,殷士端,许振嘉.Ti/Si和Ti/SiO_2/Si系统硅化物的形成[J]半导体学报.1987,(03)
[7]许振嘉,王佑祥,陈维德,方家熊.碲镉汞阳极氧化膜界面的研究[J]红外研究(A辑).1987,(01)
[8]李映雪,武国英,张国炳,王佑祥.退火气氛中痕量氧在反应形成Pt硅化物中的作用[J]半导体学报.1989,(08)
[9]崔玉德,王佑祥.稀土氧化物高T_c超导薄膜的AES分析[J]真空科学与技术.1989,(05)
[10]李映雪,武国英,夏琮璜,王佑祥.热氮化形成TiNx/TiSiy/Si结构及其特性研究[J]真空科学与技术.1989,(06)
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