王永良
【姓名】 王永良
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 混晶,晶格弛豫,紧束缚计算,非局域势,电声子耦合,声子,声子结构,稀土离子,孤子对,晶格无序,声子谱,激子发光,Raman散射,辐射跃迁几率,非局域,波函数,布洛赫,几率,面波,局域,高斯,极化子,层...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]王永良.硅中层错带中空位的电子态[J]半导体学报.1998,(03)
[2]王永良,顾宗权,黄昆.在混晶中一种无序诱导的晶格弛豫机构[J]科学通报.1981,(09)
[3]王永良,顾宗权.考虑非局域势的Si能带的紧束缚计算[J]半导体学报.1983,(06)
[4]顾宗权,王永良.稀土离子电声子耦合S因子的计算[J]物理学报.1984,(01)
[5]顾宗权,王永良.多声子无辐射跃迁几率和声子几率因子温度关系的比较[J]半导体学报.1984,(05)
[6]顾宗权,王永良.聚乙炔链中极化子和孤子对形成速率的计算[J]半导体学报.1984,(06)
[7]王永良.Si:Cr中的E能级的计算[J]半导体学报.1986,(04)
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