王应利
【姓名】 王应利
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 半绝缘,磷化,砷化铟,掺杂剂,抛光表面,高质量,位错密度,单晶材料,单晶片,深能级缺陷,非化学配比,晶格完整性,化学腐蚀,液封直拉法,杂质,有效分凝系数,外延生长,硬化作用,晶体,生长过程,载流子浓度...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/5 5 2 0 18 740
中国期刊全文数据库    共找到6篇
[1]刘丽杰;赵有文;黄勇;赵宇;王俊;王应利;沈桂英;谢辉;.面向MOCVD生长InAs/GaSb超晶格红外探测的InAs衬底表面制备（英文）[J]红外与毫米波学报.2022,(02)
[2]赵有文;段满龙;卢伟;杨俊;董志远;刘刚;高永亮;杨凤云;王风华;王俊;刘京明;谢辉;王应利;卢超;.4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究[J]人工晶体学报.2017,(05)
[3]杨俊;段满龙;卢伟;刘刚;高永亮;董志远;王俊;杨凤云;王凤华;刘京明;谢辉;王应利;卢超;赵有文;.低位错密度4 inch GaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备[J]人工晶体学报.2017,(05)
[4]胡炜杰;赵有文;段满龙;王应利;王俊;.InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析[J]人工晶体学报.2010,(04)
[5]赵有文;孙文荣;段满龙;董志远;杨子祥;吕旭如;王应利;.高质量InAs单晶材料的制备及其性质[J]半导体学报.2006,(08)
[6]赵有文,董志远,段满龙,孙文荣,杨子祥,吕旭如,王应利.半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷(英文)[J]人工晶体学报.2004,(04)
更多