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王雷
【姓名】
王雷
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;化学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】
无坑洞立方相碳化硅,3C-SiC,低压化学气相淀积,单晶硅衬底,Si(100),蓝宝石(0001),Si衬底,LPCVD,结二极管,坑洞,高温特性,Raman光谱,外延生长,异质,4H-SiC,外延层...
【工作单位】
中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】
中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
北京
学术成果产出统计表
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/文献篇数
核心期刊论文数
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下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到37篇
[1]刘斌;孙国胜;刘兴昉;张峰;董林;郑柳;闫果果;刘胜北;赵万顺;王雷;曾一平;李锡光;王占国;杨霏;.
Fast Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Films on 4° off-Axis Substrates in a SiH_4-C_2H_4-H_2 System
[J]Chinese Physics Letters.2013,(12)
[2]汪久龙;赵思齐;李云凯;闫果果;申占伟;赵万顺;王雷;关敏;刘兴昉;孙国胜;曾一平;.
无偏角4H-SiC同质外延温场分布系数的仿真及实验研究
[J]半导体光电.2022,(05)
[3]温正欣;张峰;申占伟;陈俊;何亚伟;闫果果;刘兴昉;赵万顺;王雷;孙国胜;曾一平;.
Design and fabrication of 10-kV silicon–carbide p-channel IGBTs with hexagonal cells and step space modulated junction termination extension
[J]Chinese Physics B.2019,(06)
[4]田丽欣;张峰;申占伟;闫果果;刘兴昉;赵万顺;王雷;孙国胜;曾一平;.
Influences of annealing on structural and compositional properties of Al_2O_3 thin films grown on 4H–SiC by atomic layer deposition
[J]Chinese Physics B.2016,(12)
[5]申占伟;张峰;Sima Dimitrijev;韩吉胜;闫果果;温正欣;赵万顺;王雷;刘兴昉;孙国胜;曾一平;.
Comparative study of electrical characteristics for n-type 4H–SiC planar and trench MOS capacitors annealed in ambient NO
[J]Chinese Physics B.2017,(10)
[6]闫果果;张峰;钮应喜;杨霏;刘兴昉;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平;.
氯基条件下4H-SiC衬底的同质外延生长研究
[J]半导体光电.2016,(03)
[7]闫果果;张峰;钮应喜;杨霏;刘兴昉;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平;.
Chloride-based fast homoepitaxial growth of 4H-SiC films in a vertical hot-wall CVD
[J]Journal of Semiconductors.2016,(06)
[8]刘兴昉;孙国胜;刘斌;闫果果;关敏;张杨;张峰;董林;郑柳;刘胜北;田丽欣;王雷;赵万顺;曾一平;.
Surface saturation control on the formation of wurtzite polytypes in zinc blende SiC nanofilms grown on Si-(100) substrates
[J]Chinese Physics B.2013,(08)
[9]郑柳;张峰;刘胜北;董林;刘兴昉;樊中朝;刘斌;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;何志;杨富华;.
High-performance 4H-SiC junction barrier Schottky diodes with double resistive termination extensions
[J]Chinese Physics B.2013,(09)
[10]吴海雷;孙国胜;杨挺;闫果果;王雷;赵万顺;刘兴昉;曾一平;温家良;.
High-quality homoepitaxial layers grown on 4H-SiC at a high growth rate by vertical LPCVD
[J]半导体学报.2011,(04)
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中国重要会议全文数据库
共找到2篇
[1]孙艳玲;孙国胜;刘肃;王雷;赵万顺;罗木昌;曾一平;林兰英;.
蓝宝石(0001)衬底上p-3C-SiC欧姆接触的研究
[A].2002年材料科学与工程新进展(下)——2002年中国材料研讨会论文集.2002-10-01
[2]高欣;孙国胜;赵万顺;王雷;李晋闽;曾一平;罗木昌;.
化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征研究
[A].TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2003-09-01
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研究方向相近的学者
(学者,学者单位)
卢刚
西安理工大学
赵万顺
中国科学院半导体研究所
高欣
中国科学院半导体研究所
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合作过的学者
(学者,学者单位,篇数)
李晋闽
中国科学院西安光学精密机...
12
曾一平
中国科学院半导体研究所
15
赵万顺
中国科学院半导体研究所
15
孙国胜
中国科学院半导体研究所
16
罗木昌
中国科学院半导体研究所
9
刘兴昉
中国科学院半导体研究所
1
赵永梅
中国科学院半导体研究所
1
李家业
中国科学院半导体研究所
1
孙艳玲
中国科学院半导体研究所
4
张永兴
中国科学院半导体研究所
4
林兰英
中国科学院半导体研究所
7
李建平
中国科学院半导体研究所
1
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该学者文献引用过的学者
(学者,学者单位,篇数)
林兰英
中国科学院半导体研究所
4
李晋闽
中国科学院西安光学精密机...
2
张方方
中国科学院半导体研究所
2
王引书
中国科学院半导体研究所
2
王晓峰
中国科学院半导体研究所
1
孙国胜
中国科学院半导体研究所
3
赵万顺
中国科学院半导体研究所
3
曾一平
中国科学院半导体研究所
3
黄风义
中国科学院半导体研究所
1
孙艳玲
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2
李建平
中国科学院半导体研究所
2
罗木昌
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2
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引用过该学者文献的学者
(学者,学者单位,篇数)
曾一平
中国科学院半导体研究所
3
李晋闽
中国科学院西安光学精密机...
2
李思渊
兰州大学
2
黄风义
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1
张永兴
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2
赵万顺
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3
王晓峰
中国科学院半导体研究所
1
李海鸥
中国科学院物理研究所
1
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1
高欣
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2
孙国胜
中国科学院半导体研究所
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