孙富荣
【姓名】 孙富荣
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 化学腐蚀,光波导开关,激光器,全内反射,GaAs/GaAlAs,载流子注入,开关,外延片,能带填充效应,电流密度,集成光电子学,折射率变化,双异质结构,波导层,载流,串话,联合实验,消光比,半导体,出...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/4 1 0 0 17 64
中国期刊全文数据库    共找到4篇
[1]段树坤,石忠诚,李静然,吕卉,王丽明,孙富荣.In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP DH化学腐蚀腔面激光器[J]半导体学报.1983,(03)
[2]王圩;张静媛;田慧良;孙富荣;.室温连续激射的1.55微米质子轰击条型InGaAsP/InP DH激光器[J]中国激光.1983,(Z1)
[3]王圩;张静媛;田慧良;孙富荣;.室温连续激射的1.55μm质子轰击条型InGaAsP/InP激光器[J]应用激光.1983,(06)
[4]庄婉如,林雯华,杨培生,李任,石志文,赵一兵,孙富荣,高俊华,刘涛.载流子注入全内反射型GaAs/GaAlAs光波导开关[J]半导体学报.1993,(01)
更多