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[1]阎春辉;孙殿照;国红熙;朱世荣;黄运衡;李晓兵;曾一平;孔梅影;.金属有机源分子束外延(MOMBE)生长GaAs[J]高技术通讯.1992,(06)
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[2]胡国新,王晓亮,孙殿照,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料[J]半导体学报.2003,(06)
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[3]黄大定,刘超,李建平,高斐,孙殿照,朱世荣,孔梅影.GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)
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[4]王晓亮,胡国新,王军喜,刘宏新,孙殿照,曾一平,李晋闽,孔梅影,林兰英,刘新宇,刘键,钱鹤.MBE生长的跨导为186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT[J]固体电子学研究与进展.2003,(04)
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[5]王晓亮,胡国新,王军喜,刘新宇,刘键,刘宏新,孙殿照,曾一平,钱鹤,李晋闽,孔梅影,林兰英.RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文)[J]半导体学报.2004,(02)
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[6]林兆军,张太平,武国英,王玮,阎桂珍,孙殿照,张建平,张国义.Au-GaN肖特基结的伏安特性[J]半导体学报.2000,(04)
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[7]孙殿照,王晓亮,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,侯洵,林兰英.GSMBE生长的高质量氮化镓材料[J]半导体学报.2000,(07)
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[8]孙殿照,刘宏新,王军喜,王晓亮,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
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[9]孙殿照,胡国新,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料[J]半导体学报.2001,(11)
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[10]孙殿照.半导体材料的华丽家族——氮化镓基材料简介[J]物理.2001,(07)
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