潘栋
【姓名】 潘栋
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】 红外探测器的研制和MBE材料的生长
【发表文献关键词】 应变超晶格,光栅,GaAs,位错,光栅耦合,缓冲层,红外探测器,霍尔器件,量子点(QD),量子点超晶格(QDS),Stranski-Krostanow模式,Hall器件,外延层,超晶格,耦合效率,In...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]潘栋;牛憨笨;.碱锑光电阴极光电发射特性的Monte-Carlo数值模拟[J]光子学报.1996,(04)
[2]潘栋,曾一平,李晋闽,孔梅影.光栅耦合量子阱红外探测器一维光栅的光谱响应[J]半导体学报.1997,(06)
[3]潘栋,曾一平,吴巨,王红梅,李晋闽,孔梅影.50周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs应变超晶格的生长[J]半导体学报.1997,(06)
[4]潘栋,曾一平,吴巨,孔梅影.In_(0.28)Ga_(0.72)As/GaAs量子点超晶格的生长[J]科学通报.1997,(15)
[5]王红梅,曾一平,周宏伟,董建荣,潘栋,潘量,孔梅影.InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究[J]半导体学报.1998,(06)
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