马俊如
【姓名】 马俊如
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 技术综述,光致特性,硝基,元器件,VLSI,抗蚀,离子注入,芯片,增感剂,套刻,成品率,离子注,沟道长度,掩模版,集成电路,结型晶体管,高集成度,物理限制,光刻胶,功耗,按比例缩小,硅腐蚀,硅表面,金...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]马俊如.集成电路中的物理问题讲座 第十讲 集成电路技术的一些物理限制[J]物理.1985,(12)
[2]马俊如,王守武.集成电路技术综述[J]电子学报.1985,(01)
[3]韩阶平,钟慧莉,马俊如,王守武.5-硝基苊光致特性的研究[J]电子学报.1985,(03)
[4]韩阶平,王培大,马俊如,王守武.离子注入抗蚀技术[J]半导体学报.1985,(05)
[5]韩阶平,王培大,马俊如,王守武.离子注入抗蚀技术[J]半导体学报.1986,(06)
[6]徐秋霞,马俊如.形成钛金属硅化物的一种新方法(英文)[J]电子学报.1987,(03)
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