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[1]成步文;薛春来;罗丽萍;韩根全;曾玉刚;薛海韵;王启明;.Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长[J]材料科学与工程学报.2009,(01)
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[2]胡炜玄;成步文;薛春来;薛海韵;苏少坚;白安琪;罗丽萍;俞育德;王启明;.硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管[J]激光与光电子学进展.2010,(03)
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[3]赵雷;左玉华;李传波;成步文;罗丽萍;余金中;王启明;.500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si_(0.5)Ge_(0.5)层(英文)[J]功能材料与器件学报.2006,(01)
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[4]时文华;薛春来;罗丽萍;王启明;.DCXRD分析Ge/Si(001)多层纳米岛材料(英文)[J]半导体学报.2007,(02)
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[5]左玉华,蔡晓,毛容伟,黄昌俊,成步文,李传波,罗丽萍,高俊华,白云霞,姜磊,马朝华,王良臣,余金中,王启明.155μm非晶硅热光F-P腔可调谐滤波器(英文)[J]半导体学报.2003,(09)
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[6]左玉华,黄昌俊,成步文,蔡晓,毛容伟,李传波,罗丽萍,高俊华,白云霞,姜磊,马朝华,朱家廉,王良臣,余金中,王启明.具有90nm调谐范围的1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器(英文)[J]半导体学报.2003,(11)
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[7]左玉华,毛容伟,黄昌俊,蔡晓,李传波,成步文,罗丽萍,高俊华,白云霞,姜磊,马朝华,王良臣,余金中,王启明.镜面起伏对1.55μm Si基MEMS光滤波器的影响[J]光子学报.2003,(06)
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[8]李传波,毛荣伟,左玉华,成步文,时文华,赵雷,罗丽萍,余金中,王启明.SiGe共振腔增强型探测器的制备(英文)[J]半导体学报.2004,(12)
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[9]成步文,姚飞,薛春来,张建国,李传波,毛容伟,左玉华,罗丽萍,王启明.带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态[J]物理学报.2005,(09)
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[10]毛容伟;成步文;李传波;左玉华;滕学公;罗丽萍;余金中;王启明;.硅基1.55μm可调谐共振腔窄带光电探测器的研究[J]光子学报.2005,(12)
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