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陆大成

【姓名】	陆大成
【职称】	研究员;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】	半导体材料和光电器件的研究
【发表文献关键词】	迭层太阳电池,极性,GaN/Al2O3,模型,电流,电压,功率,形貌发展,MOVPE,GaN外延层,迭层,三甲基镓流量,GaN,直流模型,GaAlInN,膺热力学分析,初期形貌,缓冲层,PL,GaN生...
【工作单位】	中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】	中国科学院半导体研究所;
【所在地域】	北京

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中国期刊全文数据库 共找到42篇

[1]陈振,韩培德,陆大成,刘祥林,王晓晖,李昱峰,袁海荣,陆沅,黎大兵,王秀凤,朱勤生,王占国.钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性[J]发光学报.2003,(02)

[2]严莉,陈晓阳,何世堂,李红浪,韩培德,陈振,陆大成,刘祥林,王晓晖,李昱峰,袁海荣,陆沅,黎大兵,朱勤生,王占国.GaN的声表面波特性研究[J]发光学报.2003,(02)

[3]李昱峰,韩培德,陈振,黎大兵,王占国,刘祥林,陆大成,王晓晖,汪度.InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究[J]发光学报.2003,(04)

[4]曲宝壮,朱勤生,陈振,陆大成,韩培德,刘祥林,王晓晖,孙学浩,李昱峰,陆沅,黎大兵,王占国.新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究[J]功能材料与器件学报.2003,(01)

[5]陆大成,韩培德,刘祥林,王晓晖,汪度,袁海荣,王良臣,徐萍,姚文卿,高翠华,刘焕章,葛永才,郑东.InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管[J]半导体学报.2000,(04)

[6]王晓晖,刘祥林,陆大成,袁海荣,韩培德,汪度.InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管[J]半导体学报.2000,(07)

[7]袁海荣,向贤碧,常秀兰,陆大成.Al_xGa_(1-x)As/GaAs太阳电池MgF_2/ZnS双层减反射膜的研究[J]太阳能学报.2000,(04)

[8]陆大成,刘祥林,韩培德,王晓晖,汪度,袁海荣.InGaN/AlGaN双异质结蓝光和绿光发光二极管[J]高技术通讯.2000,(05)

[9]刘祥林,王成新,韩培德,陆大成,王晓晖,汪度,王良臣.P型GaN和AlGaN外延材料的制备[J]高技术通讯.2000,(08)

[10]陆大成,段树坤.生长Ga_xAl_yIn_(1-x-y)N的准热力学模型(英文)[J]半导体学报.2001,(06)

中国重要会议全文数据库 共找到9篇

[1]万寿科;卢励吾;陈廷杰;陆大成;刘祥林;王占国;.InGaN的光致发光研究[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13

[2]陆大成;段树坤;.金属有机化合物气相外延及其应用[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[3]刘祥林;汪连山;陈振;袁海荣;陆大成;王晓晖;汪度;.硅衬底上生长氮化镓外延材料的研究[A].2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30

[4]袁海荣;陆大成;刘祥林;陈振;王晓晖;韩培德;汪度;.利用掺In改善初期生长GaN的形貌及光学性质[A].2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30

[5]陈振;刘祥林;王晓晖;陆大成;袁海荣;韩培德;汪度;王占国;.(1102)面蓝宝石衬底上生长氮化镓研究[A].2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30

[6]陆大成;段树坤;.氮化镓基蓝绿光LED和固态光源进展[A].海峡两岸第七届照明科技与营销研讨会专题报告文集.2000-12-01

[7]袁海荣;陈庭金;陆大成;向贤碧;.迭层太阳电池中电流、电压及功率分配的理论分析[A].中国第六届光伏会议论文集.2000-10-01

[8]陆沅;刘祥林;陆大成;袁海荣;陈振;王晓晖;王占国;.采用超薄AlN润湿层在Si(111)衬底上生长GaN的特性研究[A].2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会论文集.2002-10-01

[9]陆大成;.通用照明:白光LED的挑战[A].海峡两岸第十届照明科技与营销研讨会专题报告文集.2003-12-01