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刘宗顺

【姓名】	刘宗顺
【职称】	副研究员;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】	半导体激光器与探测器
【发表文献关键词】	列阵,非注入区,准连续,激光二极管,激光二极管列阵,双曲面透镜,COD,GaAs/AlGaAs,大功率激光二极管,光纤耦合,AlGaAs/GaAs,线列阵,偏振不灵敏,高功率密度,紫外光探测器,高亮度...
【工作单位】	中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】	中国科学院半导体研究所;
【所在地域】	北京

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[2]陈平;赵德刚;冯美鑫;江德生;刘宗顺;张立群;李德尧;刘建平;王辉;朱建军;张书明;张宝顺;杨辉;.A High Power InGaN-Based Blue-Violet Laser Diode Array with a Broad-Area Stripe[J]Chinese Physics Letters.2013,(10)

[3]李亮;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;吴亮亮;乐伶聪;王辉;杨辉;.The Effects of a Low-Temperature GaN Interlayer on the Performance of InGaN/GaN Solar Cells[J]Chinese Physics Letters.2013,(02)

[4]张臻琢;杨静;赵德刚;梁锋;陈平;刘宗顺;.Influence of the lattice parameter of the AlN buffer layer on the stress state of GaN film grown on(111) Si[J]Chinese Physics B.2023,(02)

[5]曹子坤;赵德刚;杨静;朱建军;梁锋;刘宗顺;.A MOVPE method for improving InGaN growth quality by pre-introducing TMIn[J]Chinese Physics B.2021,(01)

[6]陈平;赵德刚;江德生;杨静;朱建军;刘宗顺;刘炜;梁锋;刘双韬;邢瑶;张立群;.Evaluation of polarization field in InGaN/GaN multiple quantum well structures by using electroluminescence spectra shift[J]Chinese Physics B.2020,(03)

[7]曹子坤;刘宗顺;江德生;朱建军;陈平;赵德刚;.高增益GaN基PIN雪崩二极管的制备及p-GaN层载流子浓度的估算（英文）[J]发光学报.2020,(06)

[8]梁锋;赵德刚;江德生;刘宗顺;朱建军;陈平;杨静;.光场分布对GaN基绿光激光器的影响[J]中国激光.2020,(07)

[9]刘双韬;杨静;赵德刚;江德生;梁锋;陈平;朱建军;刘宗顺;刘炜;邢瑶;彭莉媛;张立群;王文杰;李沫;.Influence of carrier gas H_2 flow rate on quality of p-type GaN epilayer grown and annealed at lower temperatures[J]Chinese Physics B.2018,(12)

[10]梁锋;赵德刚;江德生;刘宗顺;朱建军;陈平;杨静;刘炜;刘双韬;邢瑶;张立群;王文杰;李沫;张源涛;杜国同;.Output light power of InGaN-based violet laser diodes improved by using a u-InGaN/GaN/AlGaN multiple upper waveguide[J]Chinese Physics B.2017,(12)