刘金平
【姓名】 刘金平
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;金属学及金属工艺;
【研究方向】 SiGe半导体材料的化学束外延生长研究
【发表文献关键词】 气态源分子束外延,乙硅烷,Si异质结,合金,GeSi/Si,共格,生长动力学,GeSi合金,GSMBE,源外延,生长应变,衬底温度,原子,迁移率,组分,生长速率,载流子浓度,p-n异质结,电学性质,热...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]刘学锋,王玉田,刘金平,李建平,李灵霄,孙殿照,孔梅影,林兰英.GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管[J]半导体学报.1999,(04)
[2]李建平,黄大定,刘金平,刘学锋,李灵宵,朱世荣,孙殿照,孔梅影.低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响[J]半导体学报.1999,(07)
[3]黄大定,刘金平,李建平,林燕霞,刘学锋,李灵霄,孙殿照,孔梅影,林兰英.GSMBE原位生长SiGeHBT材料[J]半导体学报.1999,(12)
[4]刘学锋,李建平,刘金平,孙殿照,孔梅影,王占国.用乙硅烷及固态锗源外延生长应变GeSi/Si合金[J]功能材料与器件学报.1997,(03)
[5]刘学锋,刘金平,李建平,孙殿照,孔梅影,林兰英.气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究[J]半导体学报.1998,(05)
[6]刘学锋,刘金平,李建平,李灵霄,孙殿照,孔梅影,林兰英.GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究[J]半导体学报.1998,(12)
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