刘建平
【姓名】 刘建平
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 应力,GaN,GaN生长,热退火,MOVPE,微裂,p型,空穴浓度,Ⅴ/Ⅲ比,MOCVD,光致发光,插入层,氮化物,掺杂研究,孪晶现象,生长速率,阴极荧光,拉曼散射谱,TMGa,集成光电子学,金属有机...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]张宝顺,伍墨,陈俊,沈晓明,冯淦,刘建平,史永生,段丽宏,朱建军,杨辉,梁骏吾.Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长[J]半导体学报.2004,(04)
[2]江德生,刘建平,杨辉.MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究[J]红外与毫米波学报.2005,(03)
[3]金瑞琴,朱建军,赵德刚,刘建平,张纪才,杨辉.p型GaN的掺杂研究[J]半导体学报.2005,(03)
[4]沈晓明,王玉田,王建峰,刘建平,张纪才,郭立平,贾全杰,姜晓明,胡正飞,杨辉,梁骏吾.低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象(英文)[J]半导体学报.2005,(04)
[5]金瑞琴,赵德刚,刘建平,张纪才,杨辉.GaN生长速率的研究[J]半导体学报.2005,(04)
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