林耀望
【姓名】 林耀望
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs,外延生长,Ar气,深能级,深中心,氩气氛,不同气氛,外延层,超晶格结构,MBE生长,InGaAs／GaAs,应变层,生长温度,GaAs材料,电学性质,GaInNAs,单量子阱,分子束外延,电...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]林耀望,潘钟,李联合,张伟,王学宇.GaInNAs/GaAs量子阱激光器的发展与未来[J]光电子技术与信息.2000,(04)
[2]李联合,潘钟,张伟,林耀望,王学宇,吴荣汉.离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响(英文)[J]半导体学报.2001,(01)
[3]潘钟,李联合,徐应强,杜云,林耀望.分子束外延生长高应变单量子阱激光器(英文)[J]半导体学报.2001,(09)
[4]罗向东,徐仲英,潘钟,李联合,林耀望,葛维琨.GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究[J]红外与毫米波学报.2001,(01)
[5]张瑞康,钟源,徐应强,张纬,黄永清,任晓敏,潘钟,林耀望.1.3μm Ga In NAs量子阱 RCE光探测器(英文)[J]光子学报.2002,(03)
[6]林耀望.MBE生长InGaAs／GaAs应变层单量子阱激光器结构材料的研究[J]半导体情报.1994,(03)
[7]庄岩,王玉田,马文全,林耀望,周增圻.MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法[J]半导体学报.1997,(07)
[8]林耀望;钟兴儒;张治平;.砷化镓气相外延生长反应系统的研究[J]仪表材料.1980,(02)
[9]彭瑞伍,林耀望.半导体材料的晶体生长——第五届国际气相生长和外延会议/第五届美国晶体生长会议介绍—[J]固体电子学研究与进展.1982,(03)
[10]林耀望,张彦云,李秀兰,林兰英.氩气氛中高纯GaAs的外延生长[J]半导体学报.1984,(05)
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