梁秀琴
【姓名】 梁秀琴
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 栅介质,硼扩散,硅表面,击穿电荷,氧化层,栅电容,酸漂,薄栅介质,多晶硅,击穿特性,掺磷,硅栅,退火时间,热电子,空穴俘获,掺硼,洗方,可靠性,击穿性能,清洗法,击穿电场,界面态密度,热氧化,热电子注...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]梁继然;胡明;阚强;陈涛;梁秀琴;陈弘达;.晶粒尺寸对氧化钒薄膜电学与光学相变特性的影响[J]材料工程.2011,(04)
[2]梁继然;胡明;梁秀琴;阚强;陈涛;陈弘达;.射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响[J]天津大学学报.2011,(10)
[3]梁继然;胡明;阚强;后顺保;梁秀琴;陈弘达;.射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性[J]纳米技术与精密工程.2012,(02)
[4]高文钰,刘忠立,和致经,张永刚,梁秀琴,梁桂荣.硅表面清洗对7nm热SiO_2栅介质可靠性的影响[J]半导体学报.1999,(10)
[5]高文钰,刘忠立,梁秀琴,于芳,聂纪平,李国花.硼扩散引起薄SiO_2栅介质的性能退化[J]电子学报.1999,(08)
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