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[1]刘志凯,周剑平,柴春林,杨少延,宋书林,李艳丽,陈诺夫.磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究[J]真空科学与技术学报.2004,(02)
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[2]宋书林,陈诺夫,周剑平,尹志岗,李艳丽,杨少延,刘志凯.离子束外延制备GaAs:Gd薄膜[J]功能材料.2004,(03)
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[3]宋书林,陈诺夫,周剑平,李艳丽,杨少延,刘志凯.低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜[J]固体电子学研究与进展.2004,(02)
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[4]刘力锋,陈诺夫,张富强,陈晨龙,李艳丽,杨少延,刘志凯.低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜[J]稀有金属.2004,(03)
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[5]刘力锋,陈诺夫,张富强,陈晨龙,李艳丽,杨少延,刘志凯.低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体[J]半导体学报.2004,(08)
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[6]李艳丽,陈诺夫,周剑平,宋书林,杨少延,刘志凯.离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜[J]半导体学报.2004,(08)
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[7]刘力锋,陈诺夫,张富强,陈晨龙,李艳丽,杨少延,刘志凯.低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜[J]功能材料.2004,(04)
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[8]宋书林,陈诺夫,周剑平,尹志岗,李艳丽,杨少延,刘志凯.低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究[J]半导体学报.2004,(12)
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