李顺峰
【姓名】 李顺峰
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 立方相,GaN,InGaN,MOCVD生长,峰位置,光致发光,极性,表面起伏,MOCVD,GaAs,电子工艺,六方相,TEGa,立方相GaN,原子,短波长,测试结果,测试点,发光强度,子团,GaN外延...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]李顺峰,杨辉,徐大鹏,赵德刚,孙小玲,王玉田,张书明.高质量立方相InGaN的生长[J]半导体学报.2000,(06)
[2]徐仲英,刘宝利,李顺峰,杨辉,葛惟昆.立方相InGaN的稳态和瞬态光学特性研究[J]红外与毫米波学报.2000,(01)
[3]渠波,李顺峰,胡国新,郑新和,王玉田,林世鸣,杨辉,梁骏吾.立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相[J]中国科学(A辑).2001,(06)
[4]付羿,孙元平,沈晓明,李顺峰,冯志宏,段俐宏,王海,杨辉.立方相GaN的高温MOCVD生长(英文)[J]半导体学报.2002,(02)
[5]赵德刚,杨辉,徐大鹏,李建斌,王玉田,郑联喜,李顺峰,王启明.立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究[J]半导体学报.1999,(08)
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