李秉臣
【姓名】 李秉臣
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 半导体光电子器件工艺及其薄膜技术研究
【发表文献关键词】 气敏特性,微型传感器,超微粒,气敏器件,膜表面,敏感特性,AES深度剖面分析,比接触电阻,工作温度,平面型,分析结果,硅平面工艺,快速热退火,温度检测器,量子阱激光器,镀膜,射频溅射,气体灵敏度,测试...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]李秉臣,彭晔,朱洪亮.2.5G DFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究[J]功能材料与器件学报.2000,(03)
[2]孙元平,付羿,渠波,王玉田,冯志宏,赵德刚,郑新和,段俐宏,李秉臣,张书明,杨辉,姜晓明,郑文莉,贾全杰.GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术[J]中国科学E辑:技术科学.2002,(05)
[3]李秉臣,彭晔,廖显伯.808nm大功率量子阱激光器无吸收腔面镀膜的研究[J]半导体学报.1999,(08)
[4]肖建伟，杨国文，徐俊英，徐遵图，张敬明，庄芳婕，李秉臣，毕可奎，郑婉华，陈良惠.808nm大功率半导体量子阱激光器锁相列阵[J]高技术通讯.1994,(01)
[5]李秉臣,彭晔,李建中.Au-Pt-Ni/p-InP新的低欧姆接触电极[J]科学通报.1998,(20)
[6]李秉臣,李建中.SnO_2薄膜和气敏特性[J]真空科学与技术.1987,(04)
[7]李秉臣;毕可奎;李建中;楼章和;李国花;.平面型SnO_2微型传感器[J]化学传感器.1987,(02)
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